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中芯國際7納米芯片制造困境的真相

?中芯國際半導(dǎo)體制造公司 (SMIC) 進(jìn)入7 納米芯片制造工藝一直令人瞠目結(jié)舌。盡管如此,雖然它在科技和貿(mào)易媒體上成為頭條新聞,但檢驗(yàn)中芯國際所謂的大躍進(jìn)的真正價(jià)值至關(guān)重要。中芯國際能否在其新開發(fā)的 7 納米節(jié)點(diǎn)上量產(chǎn)芯片?該博客試圖回答這個重要但棘手的問題。

  不過,在此之前,讓我們回顧一下中芯國際在 7 納米工藝節(jié)點(diǎn)上的崛起,這本身在 2018 年發(fā)布時就被公認(rèn)為芯片制造的一個分水嶺。與前身 14 納米節(jié)點(diǎn)相比,7 納米芯片通過在芯片上每單位面積封裝更多的晶體管,顯著提高了性能,同時也更加經(jīng)濟(jì)。

  并且可以在沒有極紫外光刻(EUV)設(shè)備的情況下構(gòu)建7nm節(jié)點(diǎn),并且可以使用廣泛使用的深紫外(DUV)技術(shù)來制造7nm芯片。事實(shí)上,臺積電在其 7 納米芯片生產(chǎn)的早期階段就使用了 DUV 機(jī)器。根據(jù)一些行業(yè)報(bào)告,在追趕這一工藝節(jié)點(diǎn)的同時,中芯國際從臺積電的 N7 工藝幾何中復(fù)制了一些制造技術(shù)塊。

  接下來,正如 TechInsights 對中芯國際 7 納米芯片所做的工作所揭示的那樣,使用 DUV 技術(shù)為芯片設(shè)計(jì)增加了很多復(fù)雜性。首先,使用 DUV 設(shè)備需要更多的掩模層,導(dǎo)致 7 納米芯片的三輪甚至四輪圖案化。另一方面,EUV 機(jī)器只需將芯片曝光一次即可將芯片圖案放置在晶圓表面上,這使得 EUV 技術(shù)成為 7 納米及更小節(jié)點(diǎn)的支柱。

  

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  在這種特殊背景下,中國半導(dǎo)體行業(yè)專家 Douglas Fuller 告訴英國《金融時報(bào)》,對中芯國際 7 納米技術(shù)進(jìn)展的狂熱被夸大了,中國頂級晶圓廠正在利用額外曝光來彌補(bǔ) EUV 工具的不足。他還對中芯國際 7 納米芯片制造工藝的良率提出了質(zhì)疑。

  根據(jù)一些行業(yè)觀察家的說法,中芯國際每片晶圓的 7 納米良率在 15% 的范圍內(nèi)。反過來,這使得在這個工藝節(jié)點(diǎn)制造的芯片非常昂貴,大約是臺積電 7 納米節(jié)點(diǎn)制造的芯片市場價(jià)格的 10 倍。還值得注意的是,已知在中芯國際 7 納米節(jié)點(diǎn)制造的加密礦工芯片具有高度并行設(shè)計(jì),這意味著較低的復(fù)雜性。

  歸根結(jié)底,中芯國際的 7 納米故事更多地與中國半導(dǎo)體自給自足的政治事業(yè)有關(guān),而不是市場經(jīng)濟(jì)。然而,與此同時,它是一種準(zhǔn) 7 納米芯片制造工藝,可能成為真正的 7 納米工藝節(jié)點(diǎn)的墊腳石。在這里,缺少的一環(huán)是 ASML 的 EUV 技術(shù),該技術(shù)目前在中國的半導(dǎo)體工廠被禁止使用。

  需要注意的是,在對EUV技術(shù)實(shí)施出口禁令后,有報(bào)道稱美國與荷蘭ASML和日本尼康接洽,也要求停止向中國提供DUV設(shè)備。但這不太重要,因?yàn)橹袊木A廠現(xiàn)在肯定已經(jīng)購買了足夠數(shù)量的 DUV 機(jī)器。基于 DUV 的光刻技術(shù)自 1980 年代就已經(jīng)存在。

  中芯國際顯然一直在逆流而上,尋求更小的芯片制造節(jié)點(diǎn)。盡管自 2021 年擁有 28 納米工藝技術(shù)以來已經(jīng)走過了漫長的道路,但其未來的路線圖充滿了巨大的技術(shù)障礙?;叵肫饋恚趯α悸?、制造成本以及更重要的 EUV 技術(shù)禁運(yùn)的擔(dān)憂中,7 納米芯片的出貨只是重要的第一步。